半導體光刻工藝過程要在潔凈室中進行，且潔凈室的等級要達到半導體光刻工藝的要求。光刻的目的是將掩膜版的圖形轉移到光刻膠，再通過刻蝕將光刻膠的圖形永久轉移到硅片表面。
實驗材料：一側中心帶有溝槽的陶瓷，樣品形貌如下圖1所示
尺寸為13×24×46㎜的高分子復合材料，材料的形貌如圖1所示；該高分子復合材料具有高強度、質輕、耐溫、耐腐蝕、絕緣等性質。高分子復合材料一般是根據應用目的，選取高分子材料和其他具有特殊性質的材料復合而成的新材料，制成滿足需要的復合材料。
金剛石帶鋸采用電機驅動主動輪，鋸帶在主動輪帶動下，傳送給被動輪，使鋸帶進行單向循環快速轉動，被切割材料則作往復直線運動以達到切割的目的
金屬透射電鏡樣品要求：金屬透射電鏡樣品要求兩面磨，且金屬表面呈無規則的劃痕，最終樣品直徑應為φ3㎜、厚30～50μm的金屬小圓片。
聚氨酯熔點在200℃左右，因此不能用過高溫度對樣品進行加熱；聚氨酯具有較高的機械強度和氧化穩定性；較高的柔曲性和回彈性，因此當所需樣品較小時用一般的切割設備不易切割，這就需要用到專用的切割小樣品的設備進行切割。
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